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TSC5302D	文件：106.11 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode Features ● Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti-saturation Operation ● No Need to Interest hFE Value Because of Low Variable Storage-time Spread Even Though Comer Spirit Product. ● Low Base Drive Requirement ● Suitable for Half Bridge Light Ballast Application Structure ● Silico 文件：106.11 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5302D	文件：306.35 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode 文件：306.35 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5302D	文件：689.03 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode 文件：689.03 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5302DCH	文件：106.11 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode Features ● Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti-saturation Operation ● No Need to Interest hFE Value Because of Low Variable Storage-time Spread Even Though Comer Spirit Product. ● Low Base Drive Requirement ● Suitable for Half Bridge Light Ballast Application Structure ● Silico 文件：106.11 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5302DCP	文件：106.11 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode Features ● Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti-saturation Operation ● No Need to Interest hFE Value Because of Low Variable Storage-time Spread Even Though Comer Spirit Product. ● Low Base Drive Requirement ● Suitable for Half Bridge Light Ballast Application Structure ● Silico 文件：106.11 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5302D_07	文件：306.35 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode 文件：306.35 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5302D_10	文件：243.7 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode 文件：243.7 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5302D_14	文件：689.03 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode 文件：689.03 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5302DCH	文件：306.35 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode 文件：306.35 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5302DCHC5	文件：243.7 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode 文件：243.7 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Polarity：
NPN
Status：
NRND
AEC-Q：
No
IC (A)：
2
VCEO (V)：
400
VCBO (V)：
700
DC Current Gain hFE Min.：
8
DC Current Gain hFE Max.：
25
VCE Sat. (V)：
3
VEBO (V)：
9

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	TSC5302D	CH	23+	DIP-3	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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更多TSC5302D供应商更新时间2025-10-4 11:10:00

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