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TSB582IQ2T	文件：2.04553 Mbytes Page：34 Pages	Marking：K2H；Package：DFN8；200 mA output current with thermal shutdown and output current limiter, 3.1 MHz,36 V, BiCMOS dual operational amplifier Features •Widesupplyvoltage:4V-36V •Highoutputcurrent200mA •Rail-to-railoutput,lowrailinput •Gainbandwidthproduct:3.1MHz •Highslewrate:2V/μs •Internalthermalshutdown&outputcurrentlimiter •EnhancedRFnoiseimmunity •HightolerancetoESD:4kVHBM •Ex	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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TSB582IQ2T

文件：2.04553 Mbytes

Page：34 Pages

Marking：K2H；Package：DFN8；200 mA output current with thermal shutdown and output current limiter, 3.1 MHz,36 V, BiCMOS dual operational amplifier

Features •Widesupplyvoltage:4V-36V •Highoutputcurrent200mA •Rail-to-railoutput,lowrailinput •Gainbandwidthproduct:3.1MHz •Highslewrate:2V/μs •Internalthermalshutdown&outputcurrentlimiter •EnhancedRFnoiseimmunity •HightolerancetoESD:4kVHBM •Ex

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更多TSB582IQ2T供应商更新时间2025-5-22 14:01:00

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