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TSAL6200_V01

High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW

文件:108.93 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

TSAL6200

High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW

Package type: leaded\n Package form: T-1¾\n Dimensions (in mm): Ø 5\n\n ;

Vishay

威世

TSAL6200

Package:径向,5mm 直径(T 1 3/4);包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:光电器件 LED 发射器 - 红外,紫外,可见光 描述:EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL

Vishay Semiconductor Opto Division

Vishay Semiconductor Opto Division

产品属性

  • 产品编号:

    TSAL6200

  • 制造商:

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 类别:

    光电器件 > LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 类型:

    红外(IR)

  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):

    100mA

  • 不同 If 时最小辐射强度 (Ie):

    40mW/sr @ 100mA

  • 波长:

    940nm

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.35V

  • 视角:

    34°

  • 方向:

    顶视图

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向,5mm 直径(T 1 3/4)

  • 描述:

    EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL

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更多TSAL62供应商 更新时间2022-6-12 10:12:00