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ATP613	文件：385.66 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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ATP613	文件：386.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP613-TL-H	文件：386.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD613	文件：127.4 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONEPIBASETRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD613	文件：121.23 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONEPIBASETRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BL-B613C	文件：203.01 Kbytes Page：2 Pages	BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES) BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-R613G	文件：203.01 Kbytes Page：2 Pages	BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES) BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BSO613SPV	文件：90 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSO613SPVG	文件：1.21967 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
TS613I
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual Wideband
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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