TS3DDR4000中文资料3.3V、2:1 (SPDT)、12 通道 DDR2、DDR3 和 DDR4 开关数据手册TI规格书

描述 Description

TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关，可实现 12 位宽总线切换。该器件可针对所有位同时将 A 端口切换为 B 或 C 端口。TS3DDR4000 设计用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存储器总线系统，并且采用一种专有架构，可提供高带宽（单端 5.6GHz 下的带宽为 -3dB）、低频下的低插入损耗以及超低传播延迟等诸多优势。TS3DDR4000 兼容 1.8V 逻辑，并且所有开关均为双向开关，提高了设计灵活性。此外，TS3DDR4000 还具有低功耗模式。在此模式下，所有通道均呈高阻态且器件功耗最低。

特性 Features

• 宽 VDD 范围：2.375V 至 3.6V
• 高带宽：5.6GHz（单端典型值）；6.0GHz（差分典型值）
• 低开关导通电阻 (RON)：8Ω（典型值）
• 低位间偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值为 6ps
• 低串扰：1067MHz 下的典型值为 –34dB
• 低工作电流：40µA（典型值）
• 具有低功耗模式，电流消耗极低：2µA（典型值）
• IOFF保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
• 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令
• 静电放电 (ESD) 性能:
• 3kV 人体放电模式（A114B，II 类）
• 1kV 组件充电模式 (C101)

• 8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 间距 ZBA 封装

简介

TS3DDR4000属于集成电路（IC）的模拟开关-特殊用途。由TI制造生产的TS3DDR4000模拟开关 - 特殊用途特殊用途模拟开关通过固态设备路由模拟信号。该系列产品的与众不同之处在于，这些模拟开关针对特定的应用，因此具有通用模拟开关通常所没有的独特功能。