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TS3DDR4000	文件：697.17 Kbytes Page：25 Pages	12-bits 1:2 High Speed DDR2/DDR3/DDR4 Switch/Multiplexer 文件：697.17 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
TS3DDR4000	文件：300 bytes Page：1 Pages	3.3V、2:1 (SPDT)、12 通道 DDR2、DDR3 和 DDR4 开关 TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关，可实现 12 位宽总线切换。该器件可针对所有位同时将 A 端口切换为 B 或 C 端口。TS3DDR4000 设计用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存储器总线系统，并且采用一种专有架构，可提供高带宽（单端 5.6GHz 下的带宽为 -3dB）、低频下的低插入损耗以及超低传播延迟等诸多优势。TS3DDR4000 兼容 1.8V 逻辑，并且所有开关均为双向开关，提高了设计灵活性。此外，TS3DDR4000 还具有低功耗模式。在此模式下，所有通道均呈高阻态且器件功耗最低。 • 宽 VDD 范围：2.375V 至 3.6V \n• 高带宽：5.6GHz（单端典型值）；6.0GHz（差分典型值）\n• 低开关导通电阻 (RON)：8Ω（典型值） \n• 低位间偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值为 6ps\n• 低串扰：1067MHz 下的典型值为 –34dB\n• 低工作电流：40µA（典型值）\n• 具有低功耗模式，电流消耗极低：2µA（典型值）\n• IOFF保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏\n• 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令\n• 静电放电 (ESD) 性能: \n• 3kV 人体放电模;	TI 德州仪器	TI
TS3DDR4000ZBAR	文件：697.17 Kbytes Page：25 Pages	12-bits 1:2 High Speed DDR2/DDR3/DDR4 Switch/Multiplexer 文件：697.17 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
TS3DDR4000-EVM	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒功能：2:1 多路复用器类别：开发板，套件，编程器评估和演示板及套件描述：EVALUATION MODULE TS3DDR4000	TI 德州仪器	TI
TS3DDR4000ZBAR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：管件类别：集成电路（IC）模拟开关 - 特殊用途描述：IC DDR SWITCH/MUX 48NFBGA	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
2
Number of channels (#)：
12
Bandwidth (MHz)：
6000
Supply voltage (Max) (V)：
3.6
Supply voltage (Min) (V)：
2.375
Ron (Typ) (Ohms)：
8.3
Input/ouput voltage (Min) (V)：
0
Input/ouput voltage (Max) (V)：
3.3
Supply current (Typ) (uA)：
40
ESD HBM (Typ) (kV)：
3
Operating temperature range (C)：
-40 to 85
Crosstalk (dB)：
-68
ESD CDM (kV)：
1
ICC (Typ) (uA)：
40
COFF (Typ) (pF)：
1
CON (Typ) (pF)：
0.5
Off isolation (Typ) (dB)：
-34
OFF-state leakage current (Max) (µA)：
5
Propagation delay (ns)：
85
Ron (Max) (Ohms)：
11.2
Ron channel match (Max) (Ohms)：
1
RON flatness (Typ) (Ohms)：
0.6
Turn off time (disable) (Max) (ns)：
65
Turn on time (enable) (Max) (ns)：
65
VIH (Min) (V)：
1.4
VIL (Max) (V)：
0.5

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更多TS3DDR4000供应商更新时间2025-11-24 8:00:00

技术参数

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