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TS35P06G	文件：207.24 Kbytes Page：4 Pages	35A, 600V - 1000V Glass Passivated Bridge Rectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
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TS35P06G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SIP，TS-6P；包装：托盘类别：分立半导体产品二极管 - 桥式整流器描述：BRIDGE RECT 1P 800V 35A TS-6P	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
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TS35P06GHC2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SIP，TS-6P；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 桥式整流器描述：BRIDGE RECT 1P 800V 35A TS-6P	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
ADM35P06E	文件：520.61 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●FastSwitching ●Improveddv/dtCapability ●GreenDeviceAvailable Description: TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
HLDD35P06	文件：441.52 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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产品属性

产品编号：
TS35P06G
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 桥式整流器
包装：
托盘
二极管类型：
Single Phase
技术：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
4-SIP，TS-6P
供应商器件封装：
TS-6P
描述：
BRIDGE RECT 1P 800V 35A TS-6P

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