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TS35P06GH	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SIP，TS-6P；包装：托盘类别：分立半导体产品二极管 - 桥式整流器描述：BRIDGE RECT 1P 800V 35A TS-6P	TSC 台湾半导体	TSC
TS35P06GHC2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SIP，TS-6P；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 桥式整流器描述：BRIDGE RECT 1P 800V 35A TS-6P	TSC 台湾半导体	TSC
ADM35P06E	文件：520.61 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Fast Switching ● Improved dv/dt Capability ● Green Device Available Description: These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. design to provide excellent RDS(ON) with low gate 文件：520.61 Kbytes 页数：5 Pages	ADV 爱德微	ADV
HLDD35P06	文件：441.52 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：441.52 Kbytes 页数：5 Pages	KERSEMI	KERSEMI
HLDD35P06	文件：656.94 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：656.94 Kbytes 页数：5 Pages	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA

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更多TS35P06GH供应商更新时间2026-1-24 11:06:00