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UF2007PT	文件：118.43 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIER FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Lowpowerloss,highefficiency Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highsurgecapability Highspeedswitching Highreliability	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
UF2007-T	文件：95.49 Kbytes Page：3 Pages	2.0AULTRA-FASTRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
UG2007	文件：89.34 Kbytes Page：2 Pages	2.0AGLASSPASSIVATEDULTRAFASTDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
UGF2007G	文件：225.08 Kbytes Page：4 Pages	IsolatedUltraFastRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
WCM2007	文件：3.4715 Mbytes Page：11 Pages	N-andP-Channel,20V,MOSFET	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WST2007	文件：1.56973 Mbytes Page：5 Pages	DUALN-ChannelMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK
YJC2007A	文件：535.46 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
ZXTN2007G	文件：125.37 Kbytes Page：6 Pages	30VNPNMEDIUMPOWERLOWSATURATIONTRANSISTORINSOT223 DESCRIPTION PackagedintheSOT223outlinethisnewlowsaturation30VNPNtransistoroffersextremelylowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuitsandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. FEATURES •Extemelylowequivalenton-resistance;RSAT=28mat6.5A •7amps	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTN2007G	文件：141.28 Kbytes Page：6 Pages	30VNPNMEDIUMPOWERLOWSATURATIONTRANSISTORINSOT223 DESCRIPTION PackagedintheSOT223outlinethisnewlowsaturation30VNPNtransistoroffersextremelylowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuitsandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. FEATURES •Extemelylowequivalenton-resistance;RSAT=28mat6.5A	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTN2007GTA	文件：141.28 Kbytes Page：6 Pages	30VNPNMEDIUMPOWERLOWSATURATIONTRANSISTORINSOT223 DESCRIPTION PackagedintheSOT223outlinethisnewlowsaturation30VNPNtransistoroffersextremelylowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuitsandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. FEATURES •Extemelylowequivalenton-resistance;RSAT=28mat6.5A	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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