TRS3E65F中文资料SiC Schottky barrier diode数据手册Toshiba规格书
| 厂商型号 |
TRS3E65F |
| 参数属性 | TRS3E65F 封装/外壳为TO-220-2；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=3A |
| 功能描述 | SiC Schottky barrier diode |
| 封装外壳 | TO-220-2 |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-27 14:19:00 |
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TRS3E65F规格书详情
描述 Description
Application Scope：Power factor correction / Solar inverters / Uninterruptible power supplies / DC-DC converters
Feature：Chip design of 2nd generation.
Number of Circuits：1
Internal Connection：Single
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：中国
特性 Features
Forward DC current IF(DC) 3 A
Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 650 V
技术参数
- 制造商编号
：TRS3E65F
- 生产厂家
：Toshiba
- Life-cycle
：新产品
- Product Category
：SiC Schottky barrier diode
- IF(DC) (Max)(A)
：3
- VRRM (Max)(V)
：650
- VFM (Max)(V)
：1.60
- IRRM (Max)(µA)
：20
- Number of pins
：2
- Number of Circuits
：1
- Internal Connection
：Single
- Surface mount package
：N
- Package name(Toshiba)
：TO-220-2L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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