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TRS15H120H中文资料东芝数据手册PDF规格书

TRS15H120H
厂商型号

TRS15H120H

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

丝印标识

S15H120H

封装外壳

TO-247-2L

文件大小

441.43 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-5 14:40:00

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TRS15H120H规格书详情

Applications

• Power Factor Correction

• Solar Inverters

• Uninterruptible Power Supplies

• DC-DC Converters

特性 Features

(1) Chip design of 3rd generation

(2) Low forward voltage : VF = 1.27 V (typ.)

(3) Low total capacitive charge: Qc = 89 nC (typ.)

(4) Low reverse current: IR = 1.4 μA (typ.)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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