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TRS12E65H中文资料东芝数据手册PDF规格书

TRS12E65H
厂商型号

TRS12E65H

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

丝印标识

S12E65H

封装外壳

TO-220-2L

文件大小

473.67 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-7 18:23:00

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TRS12E65H规格书详情

Applications

• Power Factor Correction

• Solar Inverters

• Uninterruptible Power Supplies

• DC-DC Converters

Features

(1) Chip design of 3rd generation

(2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

(3) Low total capacitive charge: Qc = 33 nC (typ.)

(4) Low reverse current: IR = 2.4 μA (typ.)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TTI
20+
标准
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