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USN1206

ThermalsensitiveFuse,SMD1206,32VDC

SCHURTERSchurter Inc.

硕特硕特集团

USN1206

ThermalsensitiveFuse,SMD1206,32VDC

SCHURTERSchurter Inc.

硕特硕特集团

UST1206

SMDFuse,3.2x1.6mm,Slow-Blow,32VAC,63VDC

UL248-14·32VAC·63VDC·Slow-Blow Description -ULcharacteristic -HighmeltingI²t-values -Highcurrentratingsupto25A Applications -SecondaryProtectionDCandAC -Circuitswithinrush -LCDBacklightDC-ACInverter

SCHURTERSchurter Inc.

硕特硕特集团

UST1206

SMDFuse,3.2x1.6mm,Time-LagT,32VAC,63VDC

SCHURTERSchurter Inc.

硕特硕特集团

VBA1206

N-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •Low-SideMOSFETforSynchronousBuck -GameMachine -PC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1206

N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1206

N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET

FEATURES TrenchFETPowerMOSFET 175CMaximumJunctionTemperature 100RgTested

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1206N

N-Channel200V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1206N

N-Channel200V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1206

N-Channel20-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    TRS1206

  • 制造商:

    WILLOW

  • 制造商全称:

    Willow Technologies Ltd

  • 功能描述:

    PTC Thinfilm Temperature Sensors

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更多TRS1206供应商 更新时间2025-7-25 23:00:00