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BC859	文件：35.74 Kbytes Page：3 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARGENERALPURPOSETRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC859	文件：186.97 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagin	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC859	文件：46.38 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC849andBC850. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoiseinputstagesofaudiofrequencyequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC859	文件：243.37 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. ·ForComplementarywithNPNTypeBC849/850	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC859	文件：231.74 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistors(PNP) FEATURES ◆PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorsforswitchingandAFamplifierapplications. ◆Especiallysuitedforautomaticinsertioninthick-andthin-filmcircuits. ◆ThesetransistorsaresubdividedintothreegroupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.ThetypeBC856isavail	GE GE Industrial Company	GE
BC859	文件：218.06 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846,BC847,BC848,BC849,BC850(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC859	文件：146.07 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC859	文件：41.03 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor ■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●NPNcomplements:BC849andBC850.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC859	文件：376.76 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFamplifierapplications. ThetransistorissubdividedintothreegroupsA,BandC,accordingtoitsDCcurrentgain. AscomplementarytypetheNPNtransistorBC849isrecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC859	文件：330.05 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23SiliconPlanarEpitaxialTransistorsTRANSISTORS(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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详细参数

型号：
TPS859(T)
功能描述：
光频率和光电压 Ambient Light Sensor Photo-IC
RoHS：
否
制造商：
ams
峰值波长：
1000 nm
工作电源电压：
5 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 25 C

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