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TPS7H6005MDCATSEP	文件：2.46331 Mbytes Page：47 Pages	TPS7H60x5-SP and TPS7H60x5-SEP Radiation-Hardness-Assured Half Bridge GaN FET Gate Drivers 1 Features • Radiation Performance: – Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si) – Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg – Single-event tran 文件：2.46331 Mbytes 页数：47 Pages	TI 德州仪器	TI
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