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6188	文件：417.4 Kbytes Page：3 Pages	PrecisionPotentiometer/PositionSensor	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH
AIC6188	文件：222.44 Kbytes Page：9 Pages	1.0ADualUSBHigh-SidePowerSwitch	AIC AIC Inc.（Advanced Industrial Computer, Inc.）	AIC
CEC6188	文件：393.43 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,20A,RDS(ON)=25mW@VGS=10V. RDS(ON)=32mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM6188	文件：1.53941 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEM6188	文件：414.23 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,7.3A,RDS(ON)=26mW@VGS=10V. RDS(ON)=35mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM6188	文件：1.37125 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelAdvancedPowerMOSFET Features VDS=60V,ID=9A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
CEM6188A	文件：520.909 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,7.4A,RDS(ON)=23mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=31mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
DAML6188	文件：117.63 Kbytes Page：1 Pages	GaAsFETLowNoiseAmplifier	DAICO DAICO Industries, Inc.	DAICO
FP6188	文件：620.25 Kbytes Page：11 Pages	2A,23V,340KHzSynchronousStep-DownConverter	FEELINGFeeling Technology Corp. 远翔科技远翔科技股份有限公司	FEELING
PE6188	文件：203.28 Kbytes Page：3 Pages	MediumPower50WattsRFLoadUpTo4GHzWithNMale	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK

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更多TPS6188RHLR供应商更新时间2025-5-21 18:00:00

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