COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE

文件：1.19105 Mbytes 页数：42 Pages

TI

德州仪器

Complete DDR, DDR2, DDR3, and LPDDR3 Memory Power Solution Synchronous Buck Controller, 3-A LDO, Buffered Reference

文件：1.38676 Mbytes 页数：45 Pages

TI

德州仪器

COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE

文件：1.19105 Mbytes 页数：42 Pages

TI

德州仪器

Complete DDR, DDR2, DDR3, and LPDDR3 Memory Power Solution Synchronous Buck Controller, 3-A LDO, Buffered Reference

文件：1.38676 Mbytes 页数：45 Pages

TI

德州仪器

COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE

文件：1.19105 Mbytes 页数：42 Pages

TI

德州仪器

COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE

文件：1.19105 Mbytes 页数：42 Pages

TI

德州仪器

增强型产品 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO

TPS51116 为 DDR/SSTL-2，DDR2/SSTL-18，DDR3/SSTL-15 和 LPDDR3 内存系统提供一个完整的电源。 它集成了一个具有 1A 灌电流/拉电流跟踪线性稳压器和经缓冲低噪声基准的同步降压控制器。 TPS51116 在空间非常宝贵的系统中提供最低的总体解决方案成本。 TPS51116 同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz，伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 模式中进行配置，此模式可简化使用并实现最快瞬态响应或者在电流模式中支持陶瓷输出电容器。 1A 灌电流/拉电流 LDO 只需 20μF (2 × 10μF) 陶瓷输出 • 同步降压控制器 (VDDQ) \n• 负载阶跃响应为 100ns 的 D−CAP™ 模式\n• 支持 S4/S5 状态内的软关闭\n• 2.5V (DDR)，1.8V (DDR2)，可调节至 1.5V (DDR3) 或 1.2V (LPDDR3) 或0.75V 至 3.0V 的输出电压范围\n• 1A LDO (VTT)，经缓冲基准 (VREF) \n• 提供 LDO 输入以优化功率损耗\n• 经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出\n• 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持软关闭\n• 过热保护;

TI

德州仪器

Package：20-PowerTSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 特殊用途稳压器 描述：IC REG CTRLR DDR 1OUT 20HTSSOP

TI2

德州仪器

Package：20-PowerTSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 特殊用途稳压器 描述：IC REG CTRLR

TI2

德州仪器

Package：20-PowerTSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 特殊用途稳压器 描述：IC REG CTRLR DDR 1OUT 20HTSSOP

TI2

德州仪器