TPS51116-EP数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

TPS51116 为 DDR/SSTL-2，DDR2/SSTL-18，DDR3/SSTL-15 和 LPDDR3 内存系统提供一个完整的电源。 它集成了一个具有 1A 灌电流/拉电流跟踪线性稳压器和经缓冲低噪声基准的同步降压控制器。 TPS51116 在空间非常宝贵的系统中提供最低的总体解决方案成本。 TPS51116 同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz，伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 模式中进行配置，此模式可简化使用并实现最快瞬态响应或者在电流模式中支持陶瓷输出电容器。 1A 灌电流/拉电流 LDO 只需 20μF (2 × 10μF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。 此外，LDO 电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。 TPS51116 支持所有睡眠状态控制，此类控制在 S3（挂起到 RAM）中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5（挂起到硬盘）中将 VDDQ，VTT 和 VTTREF（软关闭）放电。 TPS51116 具有所有保护特性，其中包括热关断并采用 20 引脚散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP) PowerPAD 封装。

特性 Features

• 同步降压控制器 (VDDQ)
• 宽输入电压范围: 3.0V 至 28V
• 负载阶跃响应为 100ns 的 D−CAP™ 模式
• 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
• 支持 S4/S5 状态内的软关闭
• RDS（接通）或电阻器的电流感测
• 2.5V (DDR)，1.8V (DDR2)，可调节至 1.5V (DDR3) 或 1.2V (LPDDR3) 或0.75V 至 3.0V 的输出电压范围
• 配备有电源正常、过压保护和欠压保护

• 1A LDO (VTT)，经缓冲基准 (VREF)
• 灌电流和拉电流的能力达到 1A
• 提供 LDO 输入以优化功率损耗
• 只需 20μF 陶瓷输出电容器
• 经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出
• 针对 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
• 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持软关闭
• 过热保护