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TPS2811DR中文资料PDF规格书

TPS2811DR
厂商型号

TPS2811DR

参数属性

TPS2811DR 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

功能描述

DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

文件大小

1.47511 Mbytes

页面数量

38

生产厂商 Texas Instruments(TI)
企业简称

TI1德州仪器

中文名称

德州仪器 (TI)官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-6-4 11:50:00

产品属性

  • 产品编号:

    TPS2811DR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1V,4V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    14ns,15ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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