2.7-V to 18-V eFuse with Integrated Short-to-Battery Protection

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18V eFuse with True Reverse Blocking and DevSleep Support for SSDs

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TPS25940x-Q1 2.7-V to 18-V eFuse with Integrated Short-to-Battery Protection

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具有反向电流阻断功能和 DevSleep 模式的 2.7V 至 18V、42mΩ、0.6A 至 5.2A 电子保险丝

TPS25940 eFuse 电源开关是一款紧凑且特性丰富的电源管理器件，此器件具有一整套的保护功能，其中包括一个低功率 DevSleep 模式，此模式支持与 SATA 器件睡眠标准的兼容性。 宽工作范围可实现对很多常用直流总线电压的控制。 集成背靠背场效应晶体管 (FET) 提供双向电流控制，从而使得器件非常适合于那些具有负载侧保持能量，而这些能量又一定不能回流至故障电源总线的系统。 负载、电源和器件保护由很多可编程特性提供，其中包括过流，dVo/dt 斜率和过压、欠压阈值。 为了实现系统状态监视和下游负载控制，此器件提供 PGOOD，FLT 和精密电流监视输出。 精密可编程欠压、过压阈值和 • 2.7V - 18V 工作电压，最大绝对值 20V\n• 0.6A 至 5.3A 可调电流限值 (±8%)\n• 200μA 工作 IQ（典型值）\n• 被禁用时，15µA IQ（典型值）\n• 反向电流阻断\n• 可编程 dVo/dt 控制\n• -40°C 至 125°C 的结温范围\n• UL60950 - 单点故障测试期间安全;

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TPS25940x 2.7 – 18V eFuse with True Reverse Blocking and DevSleep Support for SSDs

1 Features 1• 2.7 V – 18 V Operating Voltage, 20 V (Max) • 42 mΩ R ON (Typical) • 0.6 A to 5.3 A Adjustable Current Limit (±8%) • IMON Current Indicator Output (±8%) • 200 μA Operating I Q (Typical) • 95 μA DevSleep Mode IQ (Typical) • 15 μA Disabled IQ (Typical) • ±2% Overvolt

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TPS25940x 2.7 – 18V eFuse with True Reverse Blocking and DevSleep Support for SSDs

1 Features 1• 2.7 V – 18 V Operating Voltage, 20 V (Max) • 42 mΩ R ON (Typical) • 0.6 A to 5.3 A Adjustable Current Limit (±8%) • IMON Current Indicator Output (±8%) • 200 μA Operating I Q (Typical) • 95 μA DevSleep Mode IQ (Typical) • 15 μA Disabled IQ (Typical) • ±2% Overvolt

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TPS25940x 2.7 – 18V eFuse with True Reverse Blocking and DevSleep Support for SSDs

1 Features 1• 2.7 V – 18 V Operating Voltage, 20 V (Max) • 42 mΩ R ON (Typical) • 0.6 A to 5.3 A Adjustable Current Limit (±8%) • IMON Current Indicator Output (±8%) • 200 μA Operating I Q (Typical) • 95 μA DevSleep Mode IQ (Typical) • 15 μA Disabled IQ (Typical) • ±2% Overvolt

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TPS25940x 2.7 – 18V eFuse with True Reverse Blocking and DevSleep Support for SSDs

1 Features 1• 2.7 V – 18 V Operating Voltage, 20 V (Max) • 42 mΩ R ON (Typical) • 0.6 A to 5.3 A Adjustable Current Limit (±8%) • IMON Current Indicator Output (±8%) • 200 μA Operating I Q (Typical) • 95 μA DevSleep Mode IQ (Typical) • 15 μA Disabled IQ (Typical) • ±2% Overvolt

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TPS25940x 2.7 – 18V eFuse with True Reverse Blocking and DevSleep Support for SSDs

1 Features 1• 2.7 V – 18 V Operating Voltage, 20 V (Max) • 42 mΩ R ON (Typical) • 0.6 A to 5.3 A Adjustable Current Limit (±8%) • IMON Current Indicator Output (±8%) • 200 μA Operating I Q (Typical) • 95 μA DevSleep Mode IQ (Typical) • 15 μA Disabled IQ (Typical) • ±2% Overvolt

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TPS25940x 2.7 – 18V eFuse with True Reverse Blocking and DevSleep Support for SSDs

1 Features 1• 2.7 V – 18 V Operating Voltage, 20 V (Max) • 42 mΩ R ON (Typical) • 0.6 A to 5.3 A Adjustable Current Limit (±8%) • IMON Current Indicator Output (±8%) • 200 μA Operating I Q (Typical) • 95 μA DevSleep Mode IQ (Typical) • 15 μA Disabled IQ (Typical) • ±2% Overvolt

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