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TPS1120DRG4	文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TPS1120DRG4	文件：1.8865 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPS1120Y	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFETS LowrDS(on)...0.18WatVGS=–10V 3-VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax ESDProtectionUpto2kVper MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1120incorporatestwoindependent p-channelenhancement-modeMOSFETsthat have	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
TPS1120Y	文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFETS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS1120YD	文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFETS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TZ1120A	文件：301.81 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.514.31818MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
VDA1120CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA1120NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VN1120ND	文件：136.07 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs???	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP1120ND	文件：143.47 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs??? P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs Applications □Motorcontrols □Converters □Amplifiers □Switches □Powersupplycircuits □Drivers(Relays,Hammers,Solenoids,Lamps,Memories,Displays,BipolarTransistors,etc.)	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX

详细参数

型号：
TPS1120DRG
功能描述：
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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