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TWL1101	文件：398.25 Kbytes Page：31 Pages	VOICE-BANDAUDIOPROCESSOR(VBAPE)	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TWL1101PFB	文件：398.25 Kbytes Page：31 Pages	VOICE-BANDAUDIOPROCESSOR(VBAPE)	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TWL1101PFBR	文件：398.25 Kbytes Page：31 Pages	VOICE-BANDAUDIOPROCESSOR(VBAPE)	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TZ1101A	文件：362.24 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD5.0x3.220.00MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount5.0mmx3.2mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UES1101	文件：80.2 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION Anaxialleadedpowerrectifierusefulinmanyswitchingapplications.Particularlysuitedwhereveryfastrecoveryandlowforwardvoltagearerequired. FEATURES •VeryFastRecoveryTimes •VeryLowForwardVoltage •SmallSize •ConvenientPackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UES1101	文件：82.21 Kbytes Page：1 Pages	HighEfficiency,2.5A	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
UES1101	文件：342.23 Kbytes Page：2 Pages	2.5AHIGH-EFFICIENCYRECTIFIERS	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
UESI1101	文件：82.21 Kbytes Page：1 Pages	HighEfficiency,2.5A	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
UL1101N	文件：231.45 Kbytes Page：3 Pages	PARAMETRYDOPUSZCZALNE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
UM1101	文件：404.57 Kbytes Page：2 Pages	25to30WattDC-DCConverters	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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详细参数

型号：
TPS1101DR
功能描述：
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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