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TPP80R1K2C中文资料超结功率 MOSFET数据手册规格书
技术参数
- 制造商编号
：TPP80R1K2C
- BVdss(V)
：800
- ID(A) Tc=25℃
：5
- Vth(V)_min
：2.5
- Vth(V)_max
：4.5
- Rdson(Ω)Vgs=10V_typ
：1
- Rdson(Ω)Vgs=10V_max
：1.2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TECH PUBLIC |
21+ |
标准封装 |
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