丝印：80R1K2C；Package：TO-220；800V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.10198 Mbytes 页数：12 Pages

WUMC

紫光国微

超结功率 MOSFET

紫光国微

800V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.10198 Mbytes 页数：12 Pages

WUMC

紫光国微

800V 1.2(ohm) N-channel MOSFET

文件：1.33039 Mbytes 页数：10 Pages

MGCHIP

800V 1.2(ohm) N-channel MOSFET

文件：1.33039 Mbytes 页数：10 Pages

MGCHIP

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

文件：353.24 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电