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TPN2R703NL	文件：267.33 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconN-channelMOS Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=5.2nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3mΩ(typ.)(VGS=4.5V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) (	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=5.2nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3mΩ(typ.)(VGS=4.5V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) (

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