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BA885

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SiliconPINDiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BA885

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SiliconPINDiode

SiliconPINDiode •Current-controlledRFresistorforswitchingandattenuatingapplications •Frequencyrange1MHz...2GHz •EspeciallyusefulasantennaswitchinTV-sattuners •Verylowharmonics •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BA885

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SiliconPINDiode

●Current-controlledRFresistorforswitchingandattenuatingapplications ●Frequencyrange1MHz…2GHz ●EspeciallyusefulasantennaswitchinTV-sattuners

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

BA885

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SiliconPINDiode

Features Current-controlledRFresistorforswitchingandattenuatingapplications Frequencyrange1MHz2GHz EspeciallyusefulasantennaswitchinTV-sattuners

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

BF885S

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SiliconNPNEpitaxialPlanarRFTransistor

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

BGD885

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CATVamplifiermodule

DESCRIPTION HybridamplifiermoduleforCATV/MATVsystemsoperatingoverafrequencyrangeof40to860MHzatavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •Goldmetallizationensuresexcellentrelia

PhilipsNXP Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BGE885

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RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

BGE885

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CATVamplifiermodule

DESCRIPTION HybridamplifiermoduleforuseinCATVsystemsoperatingoverafrequencyrangeof40to860MHzwithavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Ruggedconstruction •TiPtAumetallizedcrystalsensureoptimalreliability.

PhilipsNXP Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BGX885N

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CATVamplifiermodule

DESCRIPTION TheBGX885NisahybridamplifiermoduledesignedforCATV/MATVsystemsoperatingoverafrequencyrangeof40to860MHzatavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •

PhilipsNXP Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BGX885N

文件：9.37507 Mbytes

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RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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现代芯城（深圳）科技有限公司
TPMCP1700T-3302E/TT
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更多TPMC885-DOC供应商 更新时间2025-5-21 11:06:00

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