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BGY885B	文件：65.69 Kbytes Page：8 Pages	CATV amplifier module DESCRIPTION TheBGY885BisahybridamplifiermoduledesignedforCATVsystemsoperatingoverafrequencyrangeof40to860MHzatavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •Goldmetallizationen	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
885	文件：479.33 Kbytes Page：1 Pages	Measurementparameters:Z,L,C,DCR,ESR,D,Q,and횠	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
885	文件：671.39 Kbytes Page：3 Pages	The885Nano2짰SurfaceMountFusesarehighvoltageratedfuseswithhighinterruptingcurrentratingsat450VDC/500VDCand350VAC	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
885RZXX	文件：250.01 Kbytes Page：3 Pages	600VperUL1059&CSA22.2No.158,classB&Crequirements	MARATHON Regal Beloit Corporation	MARATHON
A-885Y	文件：35.77 Kbytes Page：1 Pages	A-885YSPDT,100Amps,28VDC	MACOM Tyco Electronics	MACOM
AC885	文件：172.89 Kbytes Page：2 Pages	800TO900MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
ALC885	文件：1.53165 Mbytes Page：98 Pages	7.12CHANNELHIGH-PERFORMANCEHDACODECWITHCONTENTPROTECTION	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司	REALTEK
ALC885-GR	文件：1.53165 Mbytes Page：98 Pages	7.12CHANNELHIGH-PERFORMANCEHDACODECWITHCONTENTPROTECTION	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司	REALTEK
ALC885M-GR	文件：1.53165 Mbytes Page：98 Pages	7.12CHANNELHIGH-PERFORMANCEHDACODECWITHCONTENTPROTECTION	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司	REALTEK
BA885	文件：986.47 Kbytes Page：11 Pages	Current-controlledRFresistorforswitchingandattenuatingapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BA885	文件：36.04 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPINDiode Features Current-controlledRFresistorforswitchingandattenuatingapplications Frequencyrange1MHz2GHz EspeciallyusefulasantennaswitchinTV-sattuners	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BA885	文件：114.48 Kbytes Page：10 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BA885	文件：37.29 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPINDiode ●Current-controlledRFresistorforswitchingandattenuatingapplications ●Frequencyrange1MHz…2GHz ●EspeciallyusefulasantennaswitchinTV-sattuners	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BA885	文件：471.47 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPINDiode SiliconPINDiode •Current-controlledRFresistorforswitchingandattenuatingapplications •Frequencyrange1MHz...2GHz •EspeciallyusefulasantennaswitchinTV-sattuners •Verylowharmonics •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF885S	文件：187.28 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNEpitaxialPlanarRFTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BGD885	文件：61.05 Kbytes Page：8 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleforCATV/MATVsystemsoperatingoverafrequencyrangeof40to860MHzatavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •Goldmetallizationensuresexcellentrelia	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGE885	文件：46.98 Kbytes Page：8 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleforuseinCATVsystemsoperatingoverafrequencyrangeof40to860MHzwithavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Ruggedconstruction •TiPtAumetallizedcrystalsensureoptimalreliability.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGE885	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BGX885N	文件：55.73 Kbytes Page：8 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION TheBGX885NisahybridamplifiermoduledesignedforCATV/MATVsystemsoperatingoverafrequencyrangeof40to860MHzatavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGX885N	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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详细参数

型号：
BGY885B
制造商：
PHIL

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更多BGY885B供应商更新时间2024-4-29 17:18:00

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