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AOI466	文件：330.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT466L	文件：304.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT466L	文件：252.96 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT466L	文件：1.72535 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
APT466FL	文件：186.04 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODERFPOWERMOSFETs	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
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ARF466A	文件：147.7 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERMOSFETsN-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF466AandARF466BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto45MHz.Theyhavebeenoptimizedforbothlinearandhighefficiencyclassesofoperation. •Specified	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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ARF466FL	文件：138.8 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERMOSFETsN-CHANNELENHANCEMENTMODE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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