40V、7 通道、高功率灌电流驱动器

TPL7407L 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。 这个器件包含 7 个特有高压输出的 NMOS 晶体管，这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。 一个单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。 增加的全新稳压和驱动电路在整个通用输入输出 (GPIO) 范围内 (1.8V-5.0V) 提供最大驱动强度。可将这些晶体管并联以实现更高的电流能力。\nTPL7407L 的主要优势是其经提升的效率以及低于双极达灵顿 (Darlington) 器件的泄露值。 借助于较低的 VOL，功率耗散比传统中继驱动器少一半，每通道的电流少于 250mA。 ·600mA 额定漏极电流（每通道）\n ·7 通道达灵顿 (Darlington) 阵列（例如 ULN2003A）的 CMOS 引脚到引脚改进 \n ·功耗（极低 VOL） ·电流为 100mA 时，VOL 低于达灵顿 (Darlington) 阵列的四分之一 \n \n ·每通道小于 10nA 的极低输出泄露\n ·扩展环境温度范围：TA = -40°C 至 125°C\n ·高压输出 40V \n ·与 1.8V 至 5.0V 微控制器和逻辑接口兼容\n ·用于感应反冲保护的内部自振荡二极管\n ·输入下拉电阻器可实现三态输入驱动器\n ·用来消除嘈杂环境中寄生运行的输入电阻电容 (RC;

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30V、7 通道 NMOS 阵列低侧驱动器

TPL7407LA 是一款高压大电流 NMOS 晶体管阵列。这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体管，这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。器件添加了新的调节和驱动电路，可在全部 GPIO 范围（1.8V 至 5V）提供最大驱动能力。这些晶体管还可以通过采用并联方式来提供更高的电流。\n\n与双极达林顿实现相比，TPL7407LA 的主要优势在于其具有改进的效率和更低的泄漏。借助于较低的 VOL，功率耗散比传统继电器驱动器减少一半，每通道的电流低于 250mA。 • 600mA 额定漏极电流（每通道）\n• 功耗（极低 VOL） \n• 输出泄露极低，每通道小于 10nA\n• 高压输出 30V \n• 用于提供电感反冲保护的内部自振荡二极管\n• 用来消除嘈杂环境中的杂散运行的输入 RC 缓冲器\n• ESD 保护性能超出 JESD 22 标准 \n• 采用 16 引脚 SOIC 和 TSSOP 封装;

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30V、7 通道汽车类 NMOS 阵列低侧驱动器

TPL7407LA-Q1 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体管，这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。器件添加了新的调节和驱动电路，可在全部 GPIO 范围（1.8V 至 5V）提供最大驱动能力。这些晶体管还可以通过采用并联方式来提供更高的电流。\n\n相比双极达林顿晶体管实施，TPL7407LA-Q1 的主要优势在于其具有更高的能效和更低的泄漏。依赖于较低的 VOL，功率耗散比传统继电器驱动器减少一半，每通道的电流低于 250mA。 • 符合汽车类应用的 标准\n• 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围\n• 器件 CDM ESD 分类等级 C4B \n• 600mA 额定漏极电流（每通道）\n• 能效（极低 VOL） \n• 输出泄露极低，每通道小于 10nA\n• 与 1.8V 和 5V 微控制器和逻辑接口兼容\n• 可借助输入下拉电阻器实现三态输入驱动器\n• ESD 保护性能超出 JESD 22 标准 \n• 2kV HBM，500V CDM;

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Package：16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16TSSOP

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Package：16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16TSSOP

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Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16SOIC

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