TPL7407LA-Q1数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

TPL7407LA-Q1 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体管，这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。器件添加了新的调节和驱动电路，可在全部 GPIO 范围（1.8V 至 5V）提供最大驱动能力。这些晶体管还可以通过采用并联方式来提供更高的电流。

相比双极达林顿晶体管实施，TPL7407LA-Q1 的主要优势在于其具有更高的能效和更低的泄漏。依赖于较低的 VOL，功率耗散比传统继电器驱动器减少一半，每通道的电流低于 250mA。

特性 Features

• 符合汽车类应用的 标准
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
• 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
• 器件 HBM ESD 分类等级 2
• 器件 CDM ESD 分类等级 C4B

• 600mA 额定漏极电流（每通道）
• 7 通道达林顿晶体管阵列 CMOS 引脚对引脚改善（例如：ULN2003A）
• 能效（极低 VOL）
• 电流为 100mA 时，VOL 低于达林顿晶体管阵列的四分之一

• 输出泄露极低，每通道小于 10nA
• 高压输出 30V
• 与 1.8V 和 5V 微控制器和逻辑接口兼容
• 用于提供电感反冲保护的内部自振荡二极管
• 可借助输入下拉电阻器实现三态输入驱动器
• 用来消除嘈杂环境中的杂散运行的输入 RC 缓冲器
• ESD 保护性能超出 JESD 22 标准
• 2kV HBM，500V CDM