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TPH3206LDB	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V GaN FET PQFN Series	Transphorm	Transphorm
TPH3206LDGB	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V GaN FET PQFN Series	Transphorm	Transphorm
TPH3206PSB	文件：1.76283 Mbytes Page：13 Pages	650V GaN FET in TO-220 文件：1.76283 Mbytes 页数：13 Pages	TRANSPHORM	TRANSPHORM
TZ3206A	文件：206.77 Kbytes Page：8 Pages	Crystal Unit SMD 1.6x1.2 40MHz Features: Surface Mount Hermetic Package Excellent Reliability Performance Good Frequency Perturbation and Stability over temperature Ultra Miniature Package Description and Applications: Surface mount 1.6mmx1.2mm crystal unit for use in wireless communications devices, especially for a n 文件：206.77 Kbytes 页数：8 Pages	TAI-SAW 嘉硕科技	TAI-SAW
TZ3206B	文件：215.73 Kbytes Page：8 Pages	Crystal Unit SMD 1.6x1.2 40.0MHz Features: Surface Mount Hermetic Package Excellent Reliability Performance Good Frequency Perturbation and Stability over temperature Ultra Miniature Package Moisture Sensitivity Level (MSL) : Level-1 Description and Applications: Surface mount 1.6mmx1.2mm crystal unit for use in wireless 文件：215.73 Kbytes 页数：8 Pages	TAI-SAW 嘉硕科技	TAI-SAW

技术参数

技术：
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
8V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
180 毫欧 @ 10A
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
6.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：
±18V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
720pF @ 480V
功率耗散（最大值）：
81W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
PQFN（8x8）
封装/外壳：
4-PowerDFN

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