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TPH3206LDB	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V GaN FET PQFN Series	Transphorm	Transphorm
TPH3206PSB	文件：1.76283 Mbytes Page：13 Pages	650V GaN FET in TO-220 文件：1.76283 Mbytes 页数：13 Pages	TRANSPHORM	TRANSPHORM
TZ3206A	文件：206.77 Kbytes Page：8 Pages	Crystal Unit SMD 1.6x1.2 40MHz Features: Surface Mount Hermetic Package Excellent Reliability Performance Good Frequency Perturbation and Stability over temperature Ultra Miniature Package Description and Applications: Surface mount 1.6mmx1.2mm crystal unit for use in wireless communications devices, especially for a n 文件：206.77 Kbytes 页数：8 Pages	TAI-SAW 嘉硕科技	TAI-SAW
TZ3206B	文件：215.73 Kbytes Page：8 Pages	Crystal Unit SMD 1.6x1.2 40.0MHz Features: Surface Mount Hermetic Package Excellent Reliability Performance Good Frequency Perturbation and Stability over temperature Ultra Miniature Package Moisture Sensitivity Level (MSL) : Level-1 Description and Applications: Surface mount 1.6mmx1.2mm crystal unit for use in wireless 文件：215.73 Kbytes 页数：8 Pages	TAI-SAW 嘉硕科技	TAI-SAW

技术参数

技术：
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
8V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
180 毫欧 @ 10A
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
6.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：
±18V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
720pF @ 480V
功率耗散（最大值）：
81W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
PQFN（8x8）
封装/外壳：
4-PowerDFN

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