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TPH2010FNH中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	TPH2010FNH
功能描述	MOSFETs Silicon N-channel MOS
丝印标识	TPH2010FNH
封装外壳	SOP
文件大小	227.11 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	TOSHIBA
中文名称	东芝
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-9 16:42:00
人工找货	TPH2010FNH价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Applications

• High-Efficiency DC-DC Converters

• Switching Voltage Regulators

特性 Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.)

(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 168 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 250 V)

(5) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

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