TPD4E6B06中文资料采用 0.5mm 间距、0.64mm2 SON 封装的四路 4.8pF、±5.5V、±15kV ESD 保护二极管数据手册TI规格书

| 厂商型号 |
TPD4E6B06 |
| 参数属性 | TPD4E6B06 封装/外壳为4-XFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为电路保护的TVS-二极管;TPD4E6B06应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 5.5VWM 13VC 4X2SON |
| 功能描述 | 采用 0.5mm 间距、0.64mm2 SON 封装的四路 4.8pF、±5.5V、±15kV ESD 保护二极管 |
| 封装外壳 | 4-XFDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | TI Texas Instruments |
| 中文名称 | 德州仪器 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-24 18:55:00 |
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TPD4E6B06规格书详情
描述 Description
TPD4E6B06 是一款采用超小型 DPW 封装的四通道静电放电 (ESD) 保护器件。此器件是业内领先的小型 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管,间距为 0.48mm。这种较大的间距有助于节省印刷电路板 (PCB) 的制造成本。此器件提供符合 IEC61000-4-2 标准的高达 15kV 的接触放电要求。此器件具有 ESD 钳位电路,该电路的背对背二极管支持双极双向信号。4.8pF(典型值)的线路电容使得此器件适用于 支持 高达 700MHz 数据速率的广泛应用。
特性 Features
• IEC 61000-4-2 4 级
• ±15kV 接触放电
• ±15kV 气隙放电
• IEC 61000-4-5(浪涌):3A (8/20µs)
• IO 电容值:4.8pF(典型值)
• RDYN:0.75Ω(典型值)
• 直流击穿电压:±6V(最小值)
• 超低泄漏电流:100nA(最大值)
• 钳位电压:10V(IPP = 1A 时的最大值)
• 工业温度范围:-40°C 至 +125°C
• 节省空间的 DPW 封装 (0.8mm × 0.8mm)
简介
TPD4E6B06属于电路保护的TVS-二极管。由TI制造生产的TPD4E6B06TVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。
技术参数
更多- 制造商编号
:TPD4E6B06
- 生产厂家
:TI
- IO capacitance (Typ) (pF)
:4.8
- Vrwm (V)
:5.5
- IEC 61000-4-2 contact (+/- kV)
:15
- IEC 61000-4-5 (A)
:3
- Features
:—
- Bi-/uni-directional
:Bi-Directional
- IO leakage current (Max) (nA)
:100
- Rating
:Catalog
- Operating temperature range (C)
:-40 to 125
- Dynamic resistance (Typ) (Ω)
:0.75
- Clamping voltage (V)
:10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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