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TPD4E6B06中文资料采用 0.5mm 间距、0.64mm2 SON 封装的四路 4.8pF、±5.5V、±15kV ESD 保护二极管数据手册TI规格书

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厂商型号

TPD4E6B06

参数属性

TPD4E6B06 封装/外壳为4-XFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为电路保护的TVS-二极管;TPD4E6B06应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 5.5VWM 13VC 4X2SON

功能描述

采用 0.5mm 间距、0.64mm2 SON 封装的四路 4.8pF、±5.5V、±15kV ESD 保护二极管

封装外壳

4-XFDFN 裸露焊盘

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 22:59:00

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TPD4E6B06规格书详情

描述 Description

TPD4E6B06 是一款采用超小型 DPW 封装的四通道静电放电 (ESD) 保护器件。此器件是业内领先的小型 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管,间距为 0.48mm。这种较大的间距有助于节省印刷电路板 (PCB) 的制造成本。此器件提供符合 IEC61000-4-2 标准的高达 15kV 的接触放电要求。此器件具有 ESD 钳位电路,该电路的背对背二极管支持双极双向信号。4.8pF(典型值)的线路电容使得此器件适用于 支持 高达 700MHz 数据速率的广泛应用。

特性 Features

• IEC 61000-4-2 4 级
• ±15kV 接触放电
• ±15kV 气隙放电

• IEC 61000-4-5(浪涌):3A (8/20µs)
• IO 电容值:4.8pF(典型值)
• RDYN:0.75Ω(典型值)
• 直流击穿电压:±6V(最小值)
• 超低泄漏电流:100nA(最大值)
• 钳位电压:10V(IPP = 1A 时的最大值)
• 工业温度范围:-40°C 至 +125°C
• 节省空间的 DPW 封装 (0.8mm × 0.8mm)

技术参数

  • 制造商编号

    :TPD4E6B06

  • 生产厂家

    :TI

  • IO capacitance (Typ) (pF)

    :4.8

  • Vrwm (V)

    :5.5

  • IEC 61000-4-2 contact (+/- kV)

    :15

  • IEC 61000-4-5 (A)

    :3

  • Features

    :—

  • Bi-/uni-directional

    :Bi-Directional

  • IO leakage current (Max) (nA)

    :100

  • Rating

    :Catalog

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 125

  • Dynamic resistance (Typ) (Ω)

    :0.75

  • Clamping voltage (V)

    :10

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