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TPD4E001-Q1数据手册TI中文资料规格书
TPD4E001-Q1规格书详情
描述 Description
TPD4E001-Q1 器件是一款低电容 TVS 二极管阵列,设计用于为通信线路中连接的敏感电子元件提供 ESD 保护。每个通道包含一对将 ESD 脉冲引导至 VCC 或者 GND 的瞬态电压抑制二极管。根据 IEC 61000-4-2 国际标准规定,TPD4E001-Q1 可防止接触放电电压高达 ±8kV 和气隙放电高达电压 ±15kV 的 ESD 事件发生。该器件每通道的电容低至 1.5pF,因此非常适用于高速数据接口。低泄露电流(最大 10nA)确保了系统的最低功耗和模块接口的高精度。
此外,此器件还适用于为使用 USB 2.0、以太网或高精度模拟接口的汽车音响主机、后座娱乐系统以及后座摄像机系统提供保护。
特性 Features
• 符合 AEC-Q100 标准,其中包括以下内容:
• 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 运行环境温度范围
• 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 3B
• HBM 电平 15kV
• 器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C5
• IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护
• ±8kV 接触放电
• ±15kV 气隙放电
• IEC 61000-4-5 浪涌保护
• 5.5A (8/20µs)
• 输入电容低至 1.5pF
• 最大泄漏电流低至 10nA
• 电源电压范围:0.9V 至 5.5V
技术参数
- 制造商编号
:TPD4E001-Q1
- 生产厂家
:TI
- IO capacitance (Typ) (pF)
:1.5
- Vrwm (V)
:5.5
- IEC 61000-4-2 contact (+/- kV)
:8
- IEC 61000-4-5 (A)
:5.5
- Features
:—
- Bi-/uni-directional
:Uni-Directional
- IO leakage current (Max) (nA)
:+/-10
- Rating
:Automotive
- Operating temperature range (C)
:-40 to 125
- Clamping voltage (V)
:25
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
SOT-23-6 |
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