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TPD1E05U06

TPDxE05U06 1, 4, 6 Channel ESD Protection Device for Super-Speed (Up to 6 Gbps) Interface

1 Features • IEC 61000-4-2 level 4 ESD protection – ±12kV contact discharge – ±15kV air gap discharge • IEC 61000-4-4 EFT protection – 80A (5/50ns) • IEC 61000-4-5 surge protection – 2.5A (8/20μs) • IO capacitance 0.42pF to 0.5pF (typical) • DC breakdown voltage 6.5V (minimum) • Ultra lo

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德州仪器

TPD1E05U06

TPDxE05U06 1, 4, 6 Channel ESD Protection Device for Super-Speed (Up to 6 Gbps) Interface

文件:3.07344 Mbytes 页数:36 Pages

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TPD1E05U06

TPDxE05U06 1, 4, 6 Channel ESD Protection Device for Super-Speed (Up to 6 Gbps) Interface

文件:3.0746 Mbytes 页数:36 Pages

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TPD1E05U06

1, 4, 6 Channel ESD Protection Device for Super-Speed (up to 6 Gbps) Interface

文件:1.56041 Mbytes 页数:29 Pages

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TPD1E05U06

1, 4, 6 CHANNEL PROTECTION SOLUTION FOR SUPER-SPEED (UP TO 6 GBPS) INTERFACE

文件:518.9 Kbytes 页数:15 Pages

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TPD1E05U06

ADAS Applications Processor 23mm Package (ABC Package) Silicon Revision 2.0

文件:6.77233 Mbytes 页数:426 Pages

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TPD1E05U06

适用于高速接口且采用 0402 封装的 0.4pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管

TPDxE05U06 是基于单向瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管产品系列,具有超低电容。每个器件的 ESD 冲击消散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最高水平。TPDxE05U06 的超低负载电容使其非常适用于保护任何高速信号引脚。\n\nTPDxE05U06 的典型应用 包括以下产品中的信号线:HDMI 1.4b、HDMI 2.0、USB 3.0、MHL、LVDS、DisplayPort、 PCI Express®、eSata 和 V-by-One®HS。 • IEC 61000-4-2 4 级静电放电 (ESD) 保护 \n• ±12kV 接触放电 \n• ±15kV 气隙放电\n \n• IEC 61000-4-4 瞬态放电 (EFT) 保护 \n• 80A (5/50ns) \n \n• IEC 61000-4-5 浪涌保护 \n• 2.5A (8/20µs) \n \n• IO 电容范围:0.42pF 至 0.5pF(典型值)\n• 直流击穿电压:6.5V(最小值)\n• 超低泄漏电流:10nA(最大值)\n• 低 ESD 钳位电压\n• 工业温度范围:-40°C 至 +125°C\n• 简易直通路由封装;

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TPD1E05U06D

丝印:BK;Package:X1SON-2;45W peak pulse power (tp = 8/20μs)

Features 45W peak pulse power (tp = 8/20μs) Tiny X1SON-2 package Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current Low capacitance (Cj=0.7pF typ.) Protection one data/power line IEC 61000-4-2 ±10kV contact ±15kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A(5/50ns) IEC 6100

文件:489.97 Kbytes 页数:3 Pages

UMW

友台半导体

TPD1E05U06DPYR

丝印:21;Package:DFN1006;ULTRA LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE

Features Ultra low leakage: nA level Operating voltage: 5V Low clamping voltage Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±30kV Contact discharge: ±30kV – IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) – IEC61000-4-5 (Lightning) 4.5A (8/20μs) RoHS Compliant

文件:1.00581 Mbytes 页数:4 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

TPD1E05U06DPYR

丝印:BK;Package:X1SON-2;45W peak pulse power (tp = 8/20μs)

Features 45W peak pulse power (tp = 8/20μs) Tiny X1SON-2 package Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current Low capacitance (Cj=0.7pF typ.) Protection one data/power line IEC 61000-4-2 ±10kV contact ±15kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A(5/50ns) IEC 6100

文件:489.97 Kbytes 页数:3 Pages

UMW

友台半导体

技术参数

  • IO capacitance (Typ) (pF):

    0.4

  • Vrwm (V):

    5.5

  • IEC 61000-4-2 contact (+/- kV):

    12

  • IEC 61000-4-5 (A):

    2.5

  • Features:

  • Bi-/uni-directional:

    Uni-Directional

  • IO leakage current (Max) (nA):

    10

  • Rating:

    Catalog

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 125

  • Dynamic resistance (Typ) (Ω):

    0.8

  • Clamping voltage (V):

    18

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更多TPD1E05U06供应商 更新时间2025-11-30 8:00:00