Package：8-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途 描述：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TOSHIBA

东芝

TOSHIBA Multi-chip Device Silicon PNP Epitaxial Transistor , Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

○ Swtching Applications ○ Load Switch Applications ○ Multi-chip discrete device; built-in PNP Transistor for main switch and N-ch MOS FET for drive • High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = −0.5 A) (PNP Transistor) • Low collector-em

文件：248.8 Kbytes 页数：8 Pages

TOSHIBA

东芝

TOSHIBA/东芝
SOP8

TOSHIBA/东芝

上传：深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝
SOP8

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