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AOZ8304	文件：935.32 Kbytes Page：8 Pages	LowCapacitance3.3VTVSDiodeArray	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOZ8304A	文件：468.01 Kbytes Page：8 Pages	LowCapacitance3.3VTVSDiode	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOZ8304ADI	文件：468.01 Kbytes Page：8 Pages	LowCapacitance3.3VTVSDiode	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOZ8304DIL	文件：935.32 Kbytes Page：8 Pages	LowCapacitance3.3VTVSDiodeArray	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AZ8304P	文件：69.81 Kbytes Page：2 Pages	4POLEPOLARIZEDMINIATUREDIPRELAY FEATURES •Singlesidestableandtwocoilbistableversions •Highsensitivity,90mWpickup •LowprofileDIPpackage •DCcoilsto48VDC •Lifeexpectancyto100millionoperations •MeetsFCCPart68.3021500Vlightningsurge •MeetsFCCPart68.3041000Vdielectric	AZETTLERAmerican Zettler, Inc. 美国赛特勒	AZETTLER
CEG8304	文件：361.16 Kbytes Page：4 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.6A,RDS(ON)=58mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
DP8304B	文件：295.64 Kbytes Page：5 Pages	8BITTRI-STATEBIDIRECTIONALTRANSCEIVER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DP8304BJ	文件：295.64 Kbytes Page：5 Pages	8BITTRI-STATEBIDIRECTIONALTRANSCEIVER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DP8304BJ	文件：442.09 Kbytes Page：6 Pages	OCTALTHREE-STATEBIDIRECTIONALBUSTRANSCEIVERS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
DP8304BJB	文件：442.09 Kbytes Page：6 Pages	OCTALTHREE-STATEBIDIRECTIONALBUSTRANSCEIVERS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

详细参数

型号：
TPCF8304(TE85L
功能描述：
MOSFET P-Ch Dual -30V -3.2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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