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TPCM8001-H	文件：306.7 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType(Ultra-High-SpeedU-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCM8001-H	文件：42.14 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedandHighEfficiencyDC-DCConverters,NotebookPCApplications,PortableEquipmentApplications High-EfficiencyDC／DCConverterApplications NotebookPCApplications Portable-EquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •High-speedswitching •Smallgatecharge:QSW=6.0nC(typ.) •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=7mΩ(typ.) •Highforwardtr	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8001-H	文件：249.24 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(UltraHighspeedU-MOSIII) HighEfficiencyDC／DCConverterApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Highspeedswitching •Smallgatecharge:QSW=3.6nC(typ.) •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=13mΩ(typ.) •Highforwardt	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TR8001	文件：148.63 Kbytes Page：14 Pages	868.35MHzHybridTransceiver	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
TR8001	文件：449.94 Kbytes Page：15 Pages	868.35MHzHybridTransceiver	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
U8001A	文件：198.84 Kbytes Page：8 Pages	SingleOutputDCPowerSupplies	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
UP8001A	文件：443.02 Kbytes Page：16 Pages	Li-ion/LiPolymerBatteryCharger	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
UPC8001	文件：130.78 Kbytes Page：22 Pages	IFAMPLIFIERICWITHON-CHIPMIXERFORDIGITALCELLULARPHONES SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8001GR	文件：130.78 Kbytes Page：22 Pages	IFAMPLIFIERICWITHON-CHIPMIXERFORDIGITALCELLULARPHONES SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
VOI-8001	文件：134.71 Kbytes Page：2 Pages	TheLevelOneVOI-8001isacost-effectiveVoIPtelephonegateway	LVL1 Level One	LVL1

详细参数

型号：
TPCF8001(TE85L,F)
功能描述：
MOSFET PW TR N-Ch 30V 7A 2.5W 19mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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