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TPCP8001-H中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

TPCP8001-H

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra High speed U-MOSIII)

文件大小

249.24 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-19 23:01:00

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TPCP8001-H规格书详情

High Efficiency DC/ DC Converter Applications

Notebook PC Applications

Portable Equipment Applications

• Small footprint due to a small and thin package

• High speed switching

• Small gate charge: QSW = 3.6 nC (typ.)

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 13 mΩ (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 16 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30V)

• Enhancement mode: Vth = 1.1 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

产品属性

  • 型号:

    TPCP8001-H

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET N-Ch 30V 7.2A Rdson=0.016Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
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