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TPCC8A01-H中文资料Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)数据手册Toshiba规格书
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描述 Description
Application Scope:Mobile equipments / Notebook PCs
Polarity:N-ch + SBD
Generation:U-MOSⅤ-H
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
特性 Features
Drain current  ID 21 A 
Power Dissipation  PD 30 W 
Drain-Source voltage  VDSS 30 V 
技术参数
- 型号:TPCC8A01-H 
- 功能描述:MOSFET MOSFET 30V 21A 
- RoHS:否 
- 制造商:STMicroelectronics 
- 晶体管极性:N-Channel 
- 汲极/源极击穿电压:650 V 
- 闸/源击穿电压:25 V 
- 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 
- RDS(导通):0.014 Ohms 
- 配置:Single 
- 安装风格:Through Hole 
- 封装/箱体:Max247 
- 封装:Tube 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
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