TPCC8105中文资料Power MOSFET (P-ch single)数据手册Toshiba规格书
TPCC8105规格书详情
描述 Description
Application Scope：Mobile equipments / Notebook PCs
Polarity：P-ch
Generation：U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 马来西亚
特性 Features
Drain current ID -23 A
Power Dissipation PD 30 W
Drain-Source voltage VDSS -30 V
Gate-Source voltage VGSS -25/+20 V
技术参数
- 制造商编号
：TPCC8105
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：P-ch
- VDSS(V)
：-30
- VGSS(V)
：+20/-25
- ID(A)
：-23
- PD(W)
：30
- Ciss(pF)
：3240
- Qg(nC)
：76
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：0.0104
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：0.0078
- Number of pins
：8
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：TSON Advance
- Generation
：U-MOSⅥ
- Width×Length×Height(mm)
：3.3 x 3.3 x 0.85
- Package Size(mm^2)
：10.89
- Drive voltage type
：Logic-Level Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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