| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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9年
留言
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TOSHIBA/东芝DFN3.3X3.3 |
3000 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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11年
留言
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TOSHIBA/东芝QFN8 |
20000 |
25+ |
原装 |
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15年
留言
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TOSHIBA/东芝QFN8 |
32000 |
25+ |
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TOSHIBA/东芝全新特价TPCC8008即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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TOSHIBA/东芝QFN8 |
996880 |
2026+ |
只做原装 欢迎来电资询 |
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12年
留言
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TOSHIBA/东芝TSONAdvance |
8595 |
2540+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝QFN8 |
99680 |
26+ |
只做原装,欢迎来电资询 |
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11年
留言
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TOSHIBA/东芝TSON8 |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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3年
留言
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TOSHIBATSON8 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保证 |
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15年
留言
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TOSHIBA/东芝TSON8 |
30000 |
26+ |
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专注全新正品,优势现货供应 |
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2年
留言
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TOSHIBA/东芝QFN8 |
18000 |
25+ |
原装正品,全新来谈 |
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13年
留言
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TOSHIBA/东芝TSON8 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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2年
留言
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TOSHIBA/东芝 |
11000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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15年
留言
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TOSHIBA/东芝QFN8 |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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16年
留言
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TOSHIBA原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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1年
留言
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TOSHIBA/东芝QFN8 |
20000 |
26+ |
公司只有正品,实单来谈 |
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3年
留言
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TOSHIBA/东芝QFN8 |
8000 |
26+ |
只有原装 |
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7年
留言
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TOSHIBAQFN8 |
3000 |
13+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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4年
留言
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TOSHIBA/东芝DFN3.3X3.3 |
360000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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3年
留言
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TOSHIBA/东芝TSON8 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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6年
留言
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TOSHIBAQFN8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
TPCC8008采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
TPCC8008图片
TPCC8008(TE12L,QM)价格
TPCC8008(TE12L,QM)价格:¥3.1163品牌:Toshiba
生产厂家品牌为Toshiba的TPCC8008(TE12L,QM)多少钱,想知道TPCC8008(TE12L,QM)价格是多少?参考价:¥3.1163。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,TPCC8008(TE12L,QM)批发价格及采购报价,TPCC8008(TE12L,QM)销售排行榜及行情走势,TPCC8008(TE12L,QM)报价。
TPCC8008中文资料Alldatasheet PDF
更多TPCC8008制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type(U-MOSⅣ)
TPCC8008(TE12L,Q)功能描述:MOSFET MOSFET, N-ch, 30V, 25A, TSON-ADV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TPCC8008(TE12L,QM)功能描述:MOSFET MOSFET 30V 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TPCC8008(TE12LQ)功能描述:MOSFET N-Ch 30V FET 25A 30W 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube





























