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API8208	文件：174.91 Kbytes Page：10 Pages	VERSATILE20SECINSTANTVOICEROM GENERALDESCRIPTION API8208Aisahighqualityvoicesynthesizercapableofvaryingplaybackduration.AproprietaryADPCMalgorithmisused.Theaudiomessageisstoredina512Kbitson-chipEPROMwhichcanstoreupto20secondsofvoicedataat6KHzsamplerate. FEATURES •Develop	APLUS Aplus Intergrated Circuits	APLUS
API8208A	文件：174.91 Kbytes Page：10 Pages	VERSATILE20SECINSTANTVOICEROM GENERALDESCRIPTION API8208Aisahighqualityvoicesynthesizercapableofvaryingplaybackduration.AproprietaryADPCMalgorithmisused.Theaudiomessageisstoredina512Kbitson-chipEPROMwhichcanstoreupto20secondsofvoicedataat6KHzsamplerate. FEATURES •Develop	APLUS Aplus Intergrated Circuits	APLUS
API8208G	文件：42.34 Kbytes Page：2 Pages	OTPVOICESERIES Features: ●2.4~5.5Vsinglepowersupplyoperation ●5bitASPCMCoding ●20secondvoicelengthat6KHZ ●Combinationofvoicebuildingblocks ●8sectionsMax. ●Supportvoicerecordedandmelody(midiformat)	APLUS Aplus Intergrated Circuits	APLUS
APL8208	文件：2.14809 Mbytes Page：10 Pages	VERSATILE20SECINSTANTVOICEROM	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
APL8208A	文件：2.14809 Mbytes Page：10 Pages	VERSATILE20SECINSTANTVOICEROM	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BY8208	文件：87.75 Kbytes Page：12 Pages	Ultrafasthigh-voltagesoft-recoverycontrolledavalancherectifiers DESCRIPTION Plasticpackage,usingglasspassivationandahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageshouldbeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
CEG8208	文件：418.74 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,6.5A,RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=2.5V. ■SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage. ■ESDProtected:HB	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEG8208	文件：655.08 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,6.5A,RDS(ON)=22mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=32mW@VGS=2.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TSSOP-8forSurfaceMountPackage. Leadfreeproductisacquired. ESDProtected:HBM2000V	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM8208	文件：1.92486 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEM8208	文件：396.85 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,7A,RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired. ■ESDProtected:2000V	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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详细参数

型号：
TPC8208(TE12L
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 8-Pin SOP T/R
制造商：
Toshiba
功能描述：
Nch~2 20V 5A 0.05@4V 8SOP(5.5 x 6.0)
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 5A 8-SOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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