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TPC8202中文资料东芝数据手册PDF规格书

TPC8202
厂商型号

TPC8202

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)

文件大小

339.03 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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TPC8202规格书详情

Lithium Ion Battery Applications

Portable Equipment Applications

Notebook PCs

• 2.5-V Gate drive

• Small footprint due to small and thin package

• Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 41 mΩ (typ.)

• High forward transfer admittance : |Yfs| = 9 S (typ.)

• Low leakage current : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 20 V)

• Enhancement−mode : Vth = 0.5~1.1 V (VDS = 10 V, ID = 200 µA)

产品属性

  • 型号:

    TPC8202

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type(PIE−MOSVI)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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