TPC8202中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	TPC8202
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
文件大小	339.03 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	TOSHIBA
中文名称	东芝
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更新时间	2026-2-5 22:58:00
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Lithium Ion Battery Applications

Portable Equipment Applications

Notebook PCs

• 2.5-V Gate drive

• Small footprint due to small and thin package

• Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 41 mΩ (typ.)

• High forward transfer admittance : |Yfs| = 9 S (typ.)

• Low leakage current : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 20 V)

• Enhancement−mode : Vth = 0.5~1.1 V (VDS = 10 V, ID = 200 µA)

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