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TPC8129中文资料Power MOSFET (P-ch single)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TPC8129

功能描述

Power MOSFET (P-ch single)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:06:00

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TPC8129规格书详情

描述 Description

Application Scope:Lithium-Ion secondary batteries / Power management switches
Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Drain current ID -9 A
Power Dissipation PD 1.9 W
Drain-Source voltage VDSS -30 V
Gate-Source voltage VGSS -25/+20 V

技术参数

  • 制造商编号

    :TPC8129

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-30

  • VGSS(V)

    :+20/-25

  • ID(A)

    :-9.0

  • PD(W)

    :1.9

  • Ciss(pF)

    :1650

  • Qg(nC)

    :39

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :0.028

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.022

  • Number of pins

    :8

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :SOP-8

  • Generation

    :U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)

    :4.9 x 6.0 x 1.5

  • Package Size(mm^2)

    :29.40

  • Drive voltage type

    :Logic-Level Gate Drive

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