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SP8127NDG	文件：126.69 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedDifferentialAPCAmplifier GENERALDESCRIPTION TheSP8127Nisahigh-speed,differentialoutputAPCamplifierthatintegratesthephotodiodeandadjustablegainblockononechip.Independentgaincontrolallowsindividualadjustmentfor780mnand650nmwavelengthoperation,asfoundinCD/DVDopticalstoragedrives.This	SipexSipex Corporation 西伯斯西伯斯公司	Sipex
TA8127	文件：144.63 Kbytes Page：8 Pages	3VAM/FM1CHIPTUNERIC DESCRIPTION TheUTCTA8127istheAM/FM1chiptunerIC,whichisdesignedforPortableRadiosand3VHeadphoneRadios. FEATURES Built-inFMF/E,AM/FMIFandFMMPX AMDetectorCoilandIFCouplingCondenserarenotneeded. *OperatingSupplyVoltageRange Vcc=1.8~7.0V(Ta=25°C)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
TA8127	文件：499.04 Kbytes Page：16 Pages	3VAM/FM1CHIPTUNERIC	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8127F	文件：499.04 Kbytes Page：16 Pages	3VAM/FM1CHIPTUNERIC	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8127N	文件：499.04 Kbytes Page：16 Pages	3VAM/FM1CHIPTUNERIC	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8127	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8127	文件：992.21 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8127	文件：222.18 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSType(U-MOS?? LithiumIonBatteryApplications PowerManagementSwitchApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=5mΩ(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementmode:Vth=−0.8to−2.0V(VDS=−10	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UTC8127	文件：96.26 Kbytes Page：5 Pages	LINERINTERFRATEDCIRCUIT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
TPC8127,LQ
功能描述：
MOSFET P-CH MOSFET -30V DC -13A -10uA 5mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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