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UZ8110	文件：101.87 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VCMB_8110-RC	文件：1.21085 Mbytes Page：1 Pages	CommonModeChoke	ALLIED Allied Components International	ALLIED
VCMB8110-RC	文件：862.72 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeChokewithBase	ALLIED Allied Components International	ALLIED
VCMB8110-RC	文件：862.19 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeChokewithBase	ALLIED Allied Components International	ALLIED
VGT8110	文件：428.78 Kbytes Page：2 Pages	GyrotronOscillator	CPICommunications & Power Industries, Inc. Cpi	CPI
WD8110	文件：15.24922 Mbytes Page：249 Pages	INTRODUCTION	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
WD8110LV	文件：15.24922 Mbytes Page：249 Pages	INTRODUCTION	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
XC8110	文件：1.29325 Mbytes Page：30 Pages	LoadswitchICwithidealdiodefunction APPLICATIONS Wearabledevices Smartcarddevices IoTdevices ORApplication Backuppowersupply Replacementfromdiode	TOREXTorex Semiconductor 特瑞仕特瑞仕半导体株式会社	TOREX
XISOM8110DFGR	文件：1.05548 Mbytes Page：25 Pages	ISOM811x3.75-kVRMS,Single-ChannelOpto-EmulatorwithAnalogTransistorOutput 1Features •Drop-inreplacementandpin-to-pinupgradeto industrystandardphototransistoroptocouplers •1channeldiode-emulatorinput •Currenttransferratio(CTR):atIF=5mA,VCE=5 V– ISOM8110,ISOM8115:100%to155% –ISOM8111,ISOM8116:150%to230% –ISOM8112	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
XISOM8110DFS	文件：2.08382 Mbytes Page：40 Pages	ISOM811xSingle-ChannelOpto-EmulatorWithAnalogTransistorOutput 1Features •Footprintcompatible,pin-to-pinupgradeto industry-standardphototransistoroptocouplers •1-channelLED-emulatorinput •Currenttransferratio(CTR)atIF=5mA,VCE=5V: –ISOM8110,ISOM8115:100%to155% –ISOM8111,ISOM8116:150%to230% –ISOM8112,ISOM	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
TPC8110(TE12L
功能描述：
MOSFET MOSFET P-Ch 40V 8A Rdson=0.025Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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