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UPC8110GR	文件：189.96 Kbytes Page：20 Pages	900MHzBANDDIRECTQUADRATUREMODULATORICFORDIGITALMOBILECOMMUNICATIONSYSTEMS DESCRIPTION TheµPC8126Kisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasquadraturemodulatorfordigitalmobilecommunicationsystems.ThisICintegratesapre-mixerforlocalsignalsplusaquadraturemodulatoroperatingfrom889MHzto960MHz.Thechipwhichhasbeenconventionallypac	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8110GR	文件：587.72 Kbytes Page：3 Pages	UPCONVERTERWITHAGCFUNCTIONQUADRATUREMODULATORICFORDIGITALMOBILECOMMUNICATIONSYSTEMS DESCRIPTION TheµPC8129GRisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasindirectquadraturemodulatorfordigitalmobilecommunicationsystems.Thismodulatorconsistsof0.8GHzto1.9GHzup-converterand100MHzto400MHzquadraturemodulatorwhicharepackagedin20pinSSOP.Thede	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8110GR	文件：126.48 Kbytes Page：12 Pages	RFUP-CONVERTERWITHAGCFUNCTIONIFQUADRATUREMODULATORICFORDIGITALMOBILECOMMUNICATIONSYSTEMS DESCRIPTION TheµPC8158Kisasiliconmicrowavemonolithicintegratedcircuitdesignedasquadraturemodulatorfordigitalmobilecommunicationsystems.ThisMMICconsistsof0.8GHzto1.5GHzup-converterand100MHzto300MHzquadraturemodulatorwhichareequippedwithAGCandpowersavefun	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8110GR	文件：75.38 Kbytes Page：6 Pages	1GHzQUADRATUREMODULATOR	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8110GR	文件：42.3 Kbytes Page：4 Pages	1GHzQUADRATUREMODULATOR DESCRIPTION TheµPC8110GRisasilliconmonolithicintegratedcircuitdesignedas1GHzdirectquadraturemodulatorfordigitalmobilecommunicationsystems.Thismodulatorhousedina20pinplasticSSOPthateasytoinstallandcontributestominiaturizingthesystem. Thedevicehaspowersave	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UT8110	文件：221.35 Kbytes Page：3 Pages	StandardRecovery,7.5Ampto12Amp DESCRIPTION Theseseriesofhighcurrentrectifiersoffersopportunityforsizeandweightreductioninhighpowersupplies. FEATURES •Rating:12A •ControlledAvalanche •MiniaturePackage •SurgeRating:200A	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
UT8110	文件：140.36 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION Theseseriesofhighcurrentrectifiersoffersopportunityforsizeandweightreductioninhighpowersupplies. FEATURES •Rating:12A •ControlledAvalanche •MiniaturePackage •SurgeRating:200A	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UT8110HRZ	文件：221.35 Kbytes Page：3 Pages	StandardRecovery,7.5Ampto12Amp DESCRIPTION Theseseriesofhighcurrentrectifiersoffersopportunityforsizeandweightreductioninhighpowersupplies. FEATURES •Rating:12A •ControlledAvalanche •MiniaturePackage •SurgeRating:200A	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
UZ8110	文件：91.22 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UZ8110	文件：207.7 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS UZ8706,UZ8806SERIES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON

详细参数

型号：
TPC8110(TE12L
功能描述：
MOSFET MOSFET P-Ch 40V 8A Rdson=0.025Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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