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TPC8020-H	文件：88.73 Kbytes Page：7 Pages	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra High-Speed U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPC8020-H	文件：1.859 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8020-H_06	文件：458.21 Kbytes Page：7 Pages	Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
8020	文件：149.46 Kbytes Page：1 Pages	T1/E1ExtendedTemperatureRangeSMDSingleTransformers	FILTRAN FILTRAN Group	FILTRAN
8020	文件：160.15 Kbytes Page：2 Pages	NavigationControllerUnit(NCU)	SONARDYNESonardyne sound in depth Sonardyne sound in depth	SONARDYNE
8020	文件：1.20631 Mbytes Page：17 Pages	Snap-actingMomentaryPushbuttonSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
8020	文件：57.59 Kbytes Page：1 Pages	RadialLeadThermalCutoff	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
8020	文件：3.23336 Mbytes Page：17 Pages	Snap-actingMomentaryPushbuttonSwitches Features/Benefits •Positivetactilefeel •Multi-positionsavailable •Widevarietyofterminationoptions •Epoxyterminalsealcompatiblewithbottomwashcleaning •RoHScompliantmodelsavailable TypicalApplications •Instrumentation •Computerperipherals •Telecommunicationsequ	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
8020	文件：149.33 Kbytes Page：2 Pages	BusBarWire,#20SolTC ProductDescription BusBarWire,20AWG(Solid)TinnedCopper,QQ-W-343G	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
ADNS-8020	文件：1.15904 Mbytes Page：38 Pages	Track-on-GlassLaserSensor	Pixart原相科技股份有限公司原相科技	Pixart
AND8020	文件：173.24 Kbytes Page：18 Pages	TerminationofECLLogicDeviceswithEF(EmitterFollower)OUTPUTStructure	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AND8020D	文件：173.24 Kbytes Page：18 Pages	TerminationofECLLogicDeviceswithEF(EmitterFollower)OUTPUTStructure	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AND8020D	文件：156.81 Kbytes Page：11 Pages	3.3V/5VECL2-InputDifferentialXOR/XNOR Description TheMC10/100EP08isadifferentialXOR/XNORgate.TheEP08isidealforapplicationsrequiringthefastestACperformanceavailable. The100Seriescontainstemperaturecompensation. Features •250psTypicalPropagationDelay •MaximumFrequency>3GHzTypical •PECLModeOpera	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AOZ8020	文件：343.63 Kbytes Page：7 Pages	8-LineEMIFilterwithIntegratedESDProtection GeneralDescription TheAOZ8020isan8-linedeviceintegratingEMIfilteringwithESDprotectionforeachline.ItisdesignedtosuppressunwantedEMI/RFIsignalsandprovideelectrostaticdischarge(ESD)protectioninportableelectronicequipment.Thisstate-of-the-artdeviceutilizesAOSl	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
APT8020JFLL	文件：263.64 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7®FREDFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalo	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT8020JFLL	文件：71.34 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7™FREDFET PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesa	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8020JLL	文件：69.79 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8020LFLL	文件：71.72 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7™FREDFET PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesa	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8020LFLL	文件：251.27 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7®FREDFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalo	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT8020LFLL	文件：328.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=38A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
TPC8020
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type(Ultra High-Speed U-MOSIII)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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